发布时间：2024-04-26 来源：网络
本发明涉及陶瓷表面精磨加工工艺领域，特别是涉及一种薄膜电路陶瓷单面研磨方法。
1、在用户端的产品微型化、小型化的需求推动下，混合集成电路也逐步往轻、薄、小的趋势发展，而薄膜电路是电子微组装中的重要电子元器件组成部分，薄膜电路绝大部分选用氧化铝、氮化铝等陶瓷作为衬底基材。其主要的工艺流程为：研磨减薄、磁控溅射种子层、表面处理、图形化、划切。元器件的小型化，也意味着衬底基材需要更高精度的减薄工艺加工，其中常见的减薄工艺是研磨和抛光，但两者的加工目的不一样，研磨是以厚度的大幅度减薄为目的，通常削薄的厚度超过数十微米，而抛光是以改善基片表面状态为目的，即降低粗糙度为主，通常削薄的厚度只有几微米。
2、由于薄膜电路产品的特殊性，正面图形的外观要求较高，如不做特殊处理，则需要保留原始的陶瓷烧结面。常规的双面研磨加工工艺是双面一起减薄，制作薄膜电路前还需做降低表面粗糙度的抛光处理。传统的单面研磨加工，使用铝合金工装夹具，配合树脂铜盘、粗的金刚石研磨液进行研磨，存在原始面出现划痕、厚度公差大、破损率高、效率低等问题。
1、本发明的目的是提供一种薄膜电路陶瓷单面研磨方法，以解决上述现有技术存在的问题，能够避免陶瓷基片出现划痕，降低了破损率。
5、步骤二，将贴合陶瓷基片后的陶瓷盘冷却键合，采用贴合白膜的胶垫压紧陶瓷基片与陶瓷盘，并使热融化的石蜡均匀挤出；
6、步骤三，完成冷却后，取出陶瓷盘，测试贴蜡厚度误差，在陶瓷盘平面上较零，然后在陶瓷基片上五点测试法测试基片厚度至设定公差波动范围；
7、步骤四，测量陶瓷盘的盘面达到设定平整度时，按照设定的固定间距时间进行研磨；
8、步骤五，完成研磨，重测厚度，如合格则完成研磨；如不合格则翻转基片180°，继续等时间研磨，直至合格为止。
10、第一步，预热、加热陶瓷盘至设定温度，将陶瓷盘放置陶瓷基片的位置处均匀涂抹石蜡；
12、第三步，将贴合陶瓷基片后的陶瓷盘冷却键合，采用贴合白膜的胶垫压紧陶瓷基片与陶瓷盘，并使热融化的石蜡均匀挤出。
15、第二步，将陶瓷盘倒贴到钻石垫上，测试盘面平整度，如达不到设定平整度要求则使用修正环修面，达到设定平整度要求后启动研磨液搅拌器，滴入研磨液；
17、可选的，所述陶瓷盘为圆柱形陶瓷盘，所述圆柱形陶瓷盘的直径为200mm～300mm之间。
23、本发明提供薄膜电路陶瓷单面研磨工艺方法，专用于氧化铝、氮化铝、氧化铍等陶瓷单面研磨加工。保留原始面即烧结表面，厚度公差达到±0.025mm以下，采用贴合白膜的方式，能够起到保护作用，研磨后取下陶瓷基片时，避免陶瓷原始烧结面出现划痕，有效提高后道工序薄膜电路产品的外观良率。
2.根据权利要求1所述的薄膜电路陶瓷单面研磨方法，其特征在于，所述步骤一包括：
3.根据权利要求1所述的薄膜电路陶瓷单面研磨方法，其特征在于，所述步骤四包括：
4.根据权利要求1所述的薄膜电路陶瓷单面研磨方法，其特征在于，所述陶瓷盘为圆柱形陶瓷盘，所述圆柱形陶瓷盘的直径为200mm～300mm之间。
5.根据权利要求1所述的薄膜电路陶瓷单面研磨方法，其特征在于，所述陶瓷盘的厚度为5mm～15mm之间。
6.根据权利要求1所述的薄膜电路陶瓷单面研磨方法，其特征在于，所述步骤三中，陶瓷基片的厚度公差波动小于±15um。
7.根据权利要求1所述的薄膜电路陶瓷单面研磨方法，其特征在于，所述步骤一中，陶瓷盘伤害均匀对称贴合有3～8片陶瓷基片。
8.根据权利要求1所述的薄膜电路陶瓷单面研磨方法，其特征在于，所述陶瓷盘的表面平整度不大于2um。
本发明公开一种薄膜电路陶瓷单面研磨方法，涉及陶瓷表面精磨加工工艺领域，包括步骤：步骤一，将贴有白膜的陶瓷基片对称贴合于涂抹有石蜡的陶瓷盘上；步骤二，将贴合陶瓷基片后的陶瓷盘冷却键合，用贴合白膜的胶垫压紧陶瓷基片与陶瓷盘，并使热融化的石蜡均匀挤出；步骤三，完成冷却后，取出陶瓷盘，测试贴蜡厚度误差，在陶瓷盘平面上较零，然后在陶瓷基片上五点测试法测试基片厚度至设定公差波动范围；步骤四，测量陶瓷盘的盘面达到设定平整度时，按照设定的固定间距时间进行研磨；步骤五，完成研磨，重测厚度，如合格则完成研磨；如不合格则翻转基片180°，继续等时间研磨，直至合格为止。本发明能够避免陶瓷基片出现划痕，降低了破损率。
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